SSD Interno 990 EVO Plus

• Velocidad de lectura secuencial hasta 7,150MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
• Mejor eficiencia energética, menor consumo en ordenadores portátiles.
• Rendimiento mejorado para uso personal, almacenaje de fotos, vídeos y gaming, y para uso profesional.

Rendimiento

Hasta 7.250 MB/s de velocidad de lectura secuencial, un 45% más rápido que el modelo anterior.

Eficiencia energética

Eficiencia energética mejorada en un 73% para obtener más MB/s por vatio, manteniendo el rendimiento y el control térmico.

Versatilidad

Hasta 4 TB de capacidad ampliada y rápido.

Velocidad espectacular cada día

Realiza tus tareas más rápido. La 990 EVO Plus con la última NAND ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 7.250/6.300 MB/s. Archivos enormes, transferencia instantánea.

Potencia para todo el día

Aprovecha toda la potencia de tu unidad con la función Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.

Más espacio y velocidad

Aprovecha toda la potencia de tu unidad con la función Intelligent TurboWrite 2.0 mejorada. Procesa datos masivos con mayor rapidez y agiliza los gráficos pesados con una región TurboWrite ampliada, ahora disponible en 4 TB de capacidad.

Software Samsung Magician

Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD. Es una forma fácil y segura de migrar todos tus datos para actualizar tu SSD Samsung. Protege los datos valiosos, controla la salud de la unidad y obtén las últimas actualizaciones de firmware.

Haciendo realidad las innovaciones

Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de la innovación.

Especificaciones

• Uso
• Client PCs
• Capacidad
• 4TB
• Formato
• M.2 (2280)
• Interfaz
• PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
• Dimensiones
• Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm
• Peso
• Máx 9.0 gramos
• Memoria de almacenamiento
• Samsung V-NAND TLC
• Controller
• Samsung in-house Controller
• Memoria caché
• HMB (Host Memory Buffer)
• Características especiales
• Soporte TRIM
• Sí
• Soporte S.M.A.R.T
• Sí
• GC (Garbage Collection)
• Auto Garbage Collection Algorithm
• Encriptación
• AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• WWN
• Not supported
• Soporte Modo Suspensión en dispositivo
• Sí
• Rendimiento
• Lectura secuencial
• Hasta 7.250 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
• Escritura secuencial
• Hasta 6.300 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware o la configuración
• Lectura aleatoria (4KB, QD32)
• Hasta 1.050.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware o de la configuración
• Escritura aleatoria (4KB, QD32)
• Hasta 1.400.000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware o de la configuración
• Entorno
• Consumo energético medio
• *Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W* El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
• Consumo energético (Idle)
• Típico 60 mW * El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
• Power Consumption (Device Sleep)
• Típico 5 mW * El consumo real puede variar en función del hardware o de la configuración
• Voltaje soportado
• 3.3 V ± 5 %
• Durabilidad (MTBF)
• 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
• Temperatura de funcionamiento
• 0 - 70 ℃
• Golpes
• 1,500 G & 0.5 metros
• Accesorios
• Kit de instalación
• Not Available
• Software
• SW de gestión
• Magician Software for SSD management

• Capacidad: 4TB
• Formato: M.2 PCI Express
• Interface: PCIe Gen4 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
• Leer/Escribir Secuencial: 7250Mb/s / 6300Mb/s